Orion III等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD) Orion III等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)可適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片(2”- 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產(chǎn)提供先進(jìn)的沉積能力。 Orion III系統(tǒng)用于非發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和無定形硅。工藝氣體：<20%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧和氮。 該設(shè)備可選配一個ICP或三極管（Triode）源。三極管使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而控制薄膜應(yīng)力。 通過打開室蓋，直接將基片裝入工藝室。